功能描述：MOSFET N-CH 60V TO263-2

制造商：on semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Ta）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：220nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：12500pF @ 20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.65W（Ta），90W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.7 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263-2

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：800

2SK4066-DL-E

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2SK4073LS

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